삼성전자가 3D V낸드 수요 증가에 대응하고자 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다.

삼성전자는 28일 오전 중국 산시성 시안시에서 중국 반도체 메모리 ‘제2 라인 기공식’을 실시했다고 밝혔다. 이 자리에는 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 삼성전자 대표이사 김기남 사장 등이 참석했다.

삼성전자는 지난해 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 MOU(양해각서)를 체결한 바 있다. 향후 3년간 총 70억 달러 규모다. 이를 통해 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 적극 대응 하겠다는 계획이다. 특히 IT업체들의 생산기지가 집중돼 있는 중국서 제조 경쟁력을 더욱 강화하고, 대응 체계를 한층 견고히 할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

김기남 사장은 기념사를 통해 “시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께, 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여 하겠다”고 말했다.

류궈중 성장은 축사를 통해 “삼성 프로젝트 2기 착공을 축하한다”며 “산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것”이라고 밝혔다.

한편, 삼성전자 시안 반도체 사업장은 2012년 1기 기공식을 시작으로, 2013년 전자연구소 설립, 2014년 1세대 V-NAND 양산, 2015년 후공정 라인 완공, 2018년 2기 증설까지 꾸준한 투자를 추진해 나가고 있다.

한영훈 기자 han005@viva100.com