SK하이닉스는 올해 시설투자 규모를 기존 7조원에서 9조6000억원으로 확대한다고 26일 공시했다. 이는 지난해 6조2900억원에 비해 53%나 확대된 수치다.

주요 투자항목은 △미래 성장동력 확보를 위한 신규 클린룸 건설, 기반 인프라 및 연구개발 투자 △디램(DRAM) 수요의 안정적인 대응 및 3D 낸드(NAND)의 생산능력 확대를 위한 투자 등이다.

이와 관련 SK하이닉스는 전날 2분기 경영실적 컨퍼런스콜에서 “중국의 우시와 청주 공장 완공 시기를 2019년 상반기 목표서 2018년 4분기로 앞당기는 방안을 검토 중”이라고 밝힌 바 있다. 만약 클린룸 구축을 앞당겨 생산 공간을 빨리 확보하게 된다면 그만큼 변화하는 시장 환경에 효과적으로 대응하고, 생산량도 확대할 수 있을 것으로 기대된다.

앞서 SK하이닉스는 공정전환만으로는 수요 충족이 어려워 생산량 확대를 검토 중이라고 밝힌 바 있다. SK하이닉스 측은 “최근 메모리반도체 업계의 기술개발 및 생산 난이도가 더욱 높아져 대규모 투자가 수반되지 않으면 생산량은 자연 감소하게 될 수밖에 없는 상황”이라며 “실제 메모리 업체들은 창출되는 수익의 상당부분을 시설투자에 집행하고 있음에도 생산량 증가는 제한적인 상황”이라고 설명했다. 이어 “빅데이터, 자율주행자동차, 인공지능 등 메모리 수요는 지속 늘어나고 있어 이번 시설투자 확대를 결정하게 됐다”고 덧붙였다.

다만 장비투입시기는 시장상황과 회사의 기술역량 등을 고려해 결정할 계획이다. 차세대 제품을 적기에 개발할 수 있도록 연구개발용 장비도 확충해 개발경쟁력을 강화한다는 방침이다. 이번에 확대되는 투자는 수요대응을 위한 생산능력 확대에도 사용된다.

SK하이닉스 관계자는 “클린룸 조기 확보 등 선제적인 대응을 통해 경영실적의 선순환을 지속 이어갈 수 있을 것으로 기대된다”고 설명했다.

한편, SK하이닉스는 지난 2분기에 6조6923억원의 매출과 3조570원의 영업이익을 거둬들이며 사상최대 경영실적을 경신해나가는 중이다.