SK하이닉스는 올해 시설투자 규모를 기존 7조원에서 9조6000억원으로 확대한다고 26일 공시했다.

주요 변경 투자항목은 △미래 성장동력 확보를 위한 신규 클린룸 건설, 기반 인프라 및 연구개발 투자 △디램(DRAM) 수요의 안정적인 대응 및 3D 낸드(NAND)의 생산능력 혹대를 위한 투자 등이다.

SK하이닉스는 “시장 환경 변화에 적극적으로 대응하고, 사업경쟁력 강화와 미래성장 기반 확보를 위해 당사는 해외법인을 포함한 시설투자 계획을 확대했다”고 설명했다.

한영훈 기자 han005@viva100.com