시스템반도체 R&D에 2400억원 투입…한국판 퀄컴·엔비디아 만든다

지봉철 기자
입력일 2021-02-01 13:01 수정일 2021-05-16 09:29 발행일 2021-02-03 3면
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SKT
SKT가 선보인 AI 반도체 ‘사피온 X220’의 모습 (사진제공=SK텔레콤)

정부가 올해 차세대 센서, 인공지능(AI), 전력 반도체 등 시스템반도체 유망 분야 연구개발(R&D)에 2400억원 이상을 지원한다.

산업통상자원부와 과학기술정보통신부는 1일 정부서울청사에서 제3차 혁신성장 빅3 추진회의를 개최하고, 이 같은 내용의 글로벌 K-팹리스 육성을 위한 ‘시스템반도체 기술혁신 지원 방안’을 발표했다.

2030년까지 매출 1000억원 규모의 펩리스(반도체 설계기업) 5개, 분야별 ‘톱10’ 펩리스 3개를 육성한다는 목표다. 구체적으로 정부는 올해 R&D 방향을 팹리스 성장 지원, 유망시장 선점, 신시장 도전 등으로 정하고 시스템반도체 핵심 유망품목에 대한 기술 경쟁력 확보를 집중 추진할 예정이다. 먼저 팹리스 성장 지원을 위해 매출 1000억원 이상의 글로벌 K-팹리스 육성을 위한 챌린지형 R&D를 신설한다. 이번에 신설되는 챌린지형 R&D는 성장 가능성이 높은 팹리스를 대상으로 자유공모를 통해 경쟁력 있는 전략 제품 개발을 지원하며 올해 총 4개 기업을 선정할 계획이다.

이와 함께 국내 시스템반도체 산업 생태계 조성을 위해 수요 기업과 팹리스가 연계한 공동 R&D 과제를 지속 발굴하고 국내 중소 팹리스의 창업 및 성장을 위해 창업기업 지원, 혁신 기술 개발, 상용화 기술 개발, 투자형 기술 개발 등 다양한 R&D 지원을 추진한다. 유망 시장 선점을 위해서는 디지털 뉴딜과 그린 뉴딜의 핵심 부품인 차세대 전력 반도체와 데이터 경제의 첫 관문인 데이터 수집을 담당하는 차세대 센서 R&D를 강화한다. 전력 반도체는 각 종 전자기기 및 전기차, 수소차 등 미래차의 핵심 부품이다.

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글로벌 K-펩리스 발굴 육성 (자료제공=과학기술정보통신부)

특히 차세대 전력 반도체인 SiC(실리콘카바이드), GaN(질화갈륨) 반도체는 기존의 Si(실리콘) 대비 높은 내구성과 전력 효율을 바탕으로 성장 가능성이 높은 분야로서, 초기 시장 선점을 위해 정부 R&D를 지속 지원하고, 주력 산업의 데이터 수요 증가에 적기 대응하기 위해 미래선도형 차세대 센서 R&D 지원, 센서 제조혁신 플랫폼 구축, 실증 테스트베드 설립 등 총 5000억원 규모의 예비타당성 조사 사업을 추진할 방침이다.

성장 가능성이 높은 AI 반도체 분야도 집중 지원한다. AI 반도체 R&D의 핵심 사업인 차세대 지능형 반도체 기술 개발 사업의 본격적 성과 창출을 위해 지난해 831억원(82개 과제)에서 올해 1223억원(117개 과제)으로 지원 규모를 확대하고, 미래 컴퓨팅 패러다임을 바꿀 차세대 PIM(메모리·프로세서 통합) 반도체 기술 선점을 위한 선도 사업과 초격차 기술력 확보를 위한 대규모 예타 사업도 추진한다.

성윤모 산업통상자원부 장관은 “지난해 1조원 규모의 차세대 지능형 반도체 프로젝트 이후 올해 차세대 센서, 신개념 AI 반도체 등 대규모 R&D 3대 프로젝트를 마련한다”면서 “향후 10년간 총 2조5000억원이 투입되는 3대 프로젝트로 우리 반도체 생태계 전반에 활력을 불어넣어 2030년 종합 반도체 강국 도약을 반드시 실현하겠다”고 밝혔다.

지봉철 기자 janus@viva100.com