SK하이닉스, '1조 투자' 中우시 확장팹 C2F 준공...D램 생산 확대

백유진 기자
입력일 2019-04-18 15:37 수정일 2019-04-18 15:37 발행일 2019-04-18 99면
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하이닉스 이석희 사장
18일 중국 우시에서 열린 SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 SK하이닉스 이석희 대표이사가 환영사를 하고 있다. (사진제공 = SK하이닉스)

SK하이닉스는 18일 중국 우시에서 메모리 반도체 확장팹(C2F) 준공식을 개최했다고 밝혔다.

이날 준공식은 ‘새로운 도약, 새로운 미래’를 주제로 열렸다. 이석희 SK하이닉스 이석희 대표이사를 비롯해 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 고객 및 협력사 대표 등 약 500명의 관계자가 참석했다.

C2F는 지난 2006년부터 가동 중인 기존 D램 생산라인(C2)를 확장한 것으로, 기존 C2 공장과 비슷한 건축면적 5만8000㎡(1만7500평)의 단층 팹이다. 현재 일부 클린룸 공사가 완료돼 D램 생산에 돌입한 상태다.

SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다. 당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300㎜ 팹으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해 왔다.

그러나 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해지자 SK하이닉스는 지난 2016년 생산라인 확장을 결정, 2017년 6월부터 올해 4월까지 총 9500억원을 투입해 추가로 반도체 생산공간을 확보했다. 향후 시황에 따라 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기를 탄력적으로 결정한다는 방침이다.

SK하이닉스 우시FAB담당 강영수 전무는 “C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다“며 “C2F는 기존 C2 공장과 ‘원 팹(One FAB)’으로 운영함으로써 우시 팹의 생산·운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.

백유진 기자 byj@viva100.com