삼성전자가 12일 DS부문 인사를 발표했다. 이번 인사에서 △이정배 메모리사업부 전략마케팅팀 상품기획팀장 △장성진 메모리사업부 DRAM개발실장 △최시영 S.LSI사업부 제조센터장 △한재수 DS부문 미주총괄 △황성우 종합기술원 디바이스시스템(Device&System)연구센터장 등 5인이 부사장으로 승진했다.

이정배 부사장은 1967년생으로 서울대 전자공학과를 나와 같은 동 대학원에서 석·박사 학위를 취득했다. 1992년 삼성전자에 들어와 1995년부터 메모리사업부에서 근무했다. 메모리사업부 D램설계 1,2,3,4팀 수석, ATD팀 수석, D램설계팀장 등을 역임했으며 2013년부터 전략마케팅팀 상품기획팀장을 맡고 있다.

장성진 부사장은 1965년생으로 경북대 전자공학과를 졸업하고 한국과학기술원에서 석사 학위를 취득했다. 2000년도 메모리사업부 D램2,3,4,5팀 수석으로 삼성전자에 입사해, 이후 메모리사업부 D램개발실에서 D램PE팀장, D램설계팀장 등을 역임했다. 올해 4월부터 메모리사업부 D램개발실장을 맡고 있다.

최시영 부사장은 1964년생으로 연세대 재료공학과에서 학·석사 학위, 이어 미국 오하이오주립대학교에서 전자재료공학 박사 학위를 취득했다. 1995년 삼성전자 반도체연구소의 LSI공정개발 선임연구원으로 시작해 메모리사업부와 반도체연구소, S.LSI사업부 TD센터 등을 거쳤다. 올해 3월부터 S.LSI사업부 제조센터장으로 근무하고 있다.

한재수 부사장을 1962년생으로 성균관대 경제학과를 졸업해 1988년 삼성전자 영업관리팀으로 입사했다. 이후 메모리사업부 수출2그룹장, DS사업총괄 구주총괄, 메모리사업부 전략마케팅팀 영업팀장을 거쳐 2015년부터 DS부문 미주총괄을 맡고 있다.

황성우 부사장은 서울대 전자공학과에서 학·석사 학위, 프린스턴 대학교에서 전기공학 박사 학위를 취득했다. 2012년부터 삼성전자 종합기술원에서 근무하며 FRL장, 나노 일렉트로닉스 랩(Nano Electronics Lab)장 등을 역임했으며, 2014년부터 종합기술원 디바이스 랩장으로 근무하고 있다.

김지희 기자 jen@viva100.com