4월부터 공동 개발 진행, 2017년 제품에 적용 예정
NIL, 공정 미세화 한계 극복 방안 중 하나

SK하이닉스와 일본 도시바가 5일 나노 임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography, 이하 ‘NIL’) 기술에 대한 공동 개발 본 계약을 체결했다. 양사는 지난 12월 MOU를 체결했으며 이번 본 계약 체결 이후 개발에 착수한다.

NIL 기술 공동 개발은 올해 4월부터 양사 엔지니어들의 협업으로 도시바의 요코하마 실험공장에서 진행되며 오는 2017년 실제 제품에 적용될 예정이라고 SK하이닉스는 전했다.

NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되고 있는 가운데 미세 패턴을 구현하는데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정기술로 평가 받고 있으며, 막대한 투자가 선행돼야 하는 기존 공정기술과 비교해 경제적인 양산이 가능하다는 장점도 갖고 있다. NIL 기술은 공정 미세화의 한계를 극복하기 위한 방안 중 하나로 개발돼 왔다. 이번 협력을 통해 양사는 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술을 확보할 수 있게 돼 양사가 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

◇나노 임프린트 리소그래피(NIL) 기술=액체인 UV 레지스트를 기판 위에 코팅한 후 투명 스탬프를 접촉시키고 압력을 가하면 스탬프 사이로 패턴이 형성된다. 이후 광원을 투사해 패턴을 고체화시킨다. 저렴한 UV를 광원으로 활용하고 렌즈를 사용하지 않기 때문에 비용이 적게 든다.

서희은 기자 heseo@viva100.com