 |
올해 2분기 어닝 서프라이즈를 기록한 삼성전자가 하반기에도 기세를 이어간다. SK하이닉스에 시장 1위 자리를 내줬던 HBM(고대역폭메모리) 부문에서는 경쟁력을 확보해 주요 고객사에 최신 제품을 납품한다. 파운드리(반도체 위탁생산)도 초미세 공정 수율 안정을 기반으로 하반기부터 본격적으로 제품 양산에 들어간다.
삼성전자는 31일 올해 2분기 실적발표 이후 진행된 컨퍼런스콜을 통해 올해 HBM 고객 주문 물량이 지난해 4배 수준인데다, 2분기 매출이 3배 가까이 급증했다는 점을 들어 AI향 메모리 HBM에 대한 자신감을 드러냈다. 김재준 삼성전자 메모리사업부장(부사장)은 “2분기 HBM 매출은 전분기 대비 50% 중반대 성장했고, 하반기에는 상반기 대비 3.5배를 넘어설 것”이라고 기대했다.
HBM 주문 물량 중 일부는 AI반도체 리더 미국 엔비디아향으로 추정된다. 앞서 국내 언론과 로이터 등에서는 삼성전자 HBM3가 엔비디아 퀄 테스트를 통과 소식을 알렸다. 다만, 삼성전자는 엔비디아 공급 관련 질문에 “HBM 퀄 관련해서는 고객사와의 NDA(비밀유지계약) 준수를 위해 해당 정보를 언급할 수 없다”고 선을 그었다.
업계에서는 3분기 양산을 시작하는 HBM3E도 엔비디아에 공급될 것으로 보고 있다. 블룸버그통신은 전날 “2~4개월 내에 삼성전자가 HBM3E 퀄 테스트를 통과할 것”이라며 “삼성전자는 HBM3 개발 과정에서 발열, 전력 문제를 보였으나 디자인 변경을 통해 이를 해결했다”고 보도했다. 김동원 KB증권 리서치본부장도 이날 “올 8~9월 삼성전자는 엔비디아로부터 HBM3E 승인을 받을 것”이라고 봤다.
삼성전자는 3분기 HBM3E 8단(H) 양산할 예정이며, HBM3E 12단도 고객사 요청에 맞춰 하반기 중 공급할 계획이다. 김 부사장은 “HBM 내 HBM3E 매출 비중은 3분기 10% 중반을 넘어설 것으로 예상되며 4분기에는 60% 수준까지 빠르게 확대될 것”이라고 말했다.
이와 함께 HBM을 위시로 한 메모리 수요 강세는 하반기에도 이어질 것으로 전망했다. 주요 클라우드 서비스 공급자와 일반 기업체의 AI 서버 투자가 확대됨에 따라 시장 내 AI 서버 구축을 위해 △HBM △DDR5 △SSD 등 서버용 고부가 칩의 수요 강세가 지속된다는 분석이다. 이에 따라 삼성전자는 업계 최초로 개발한 1b 32Gb DDR5 기반의 128GB 제품 양산 판매를 개시해 DDR5 시장 리더십을 강화한다. 또 매출 기준 전년 대비 4배 이상 성장할 것으로 전망되는 서버용 SSD는 QLC(쿼드러플셀) 라인업을 기반으로 고객 수요에 대응키로 했다.
파운드리의 경우 하반기 중 3nm(나노미터, 10억분의 1m) 2세대 GAA(게이트 올 어라운드) 공정을 적용한 제품을 본격 양산한다. 공정 수율과 성능이 안정적인 단계에 도달한 3나노 1세대를 기반으로 하반기 중 모바일 제품을 본격 양산하는 것이다.
삼성전자는 “3나노 2세대 GAA 공정은 웨어러블 제품을 시작으로 하반기 모바일 제품을 본격 양산할 예정”이라며 “2025년에는 첫번째 2나노 공정 제품을 양산할 것”이라고 밝혔다.
한편, 2분기 시설투자는 12조1000억원으로 전분기 대비 8000억원 증가했다. 세부적으로는 반도체 9조9000억원, 디스플레이 1조8000억원이 투자됐다.
전화평 기자 peace201@viva100.com
