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| 유창식 삼성전자 부사장이 발표하고 있다.(사진=전화평 기자) |
유창식 삼성전자 메모리사업부 부사장은 16일 부산 윈덤그랜드호텔에서 열리고 있는 ‘2024년도 반도체공학회 하계학술대회’에서 LLW D램 개발 현황을 소개했다.
이 자리에서 유 부사장은 LLW D램 개발 현황을 묻는 기자의 질문에 “주요 고객사와 하는 걸 말하는 것이냐”며 “문제 없이 잘 진행되고 있다”고 짧게 답했다. 갤럭시에 적용하는 시도에 대해서는 “특별히 말할 수 있는 게 없다”고 말을 아꼈다.
LLW D램은 정보가 들어오고 나가는 통로인 입출구(I/O)를 늘린 저전력(LP) D램이다. 모바일 제품인 LPDDR에서 대역폭을 높인 걸로 이해하면 된다. 대역폭은 전송 속도와 비례하기에 기기에서 실시간으로 생성되는 데이터를 처리하는 데 훨씬 유리하다.
게다가 프로세서에 가깝게 배치할 시 일반 D램 대비 전력 효율이 70% 정도 향상될 수 있다. 모바일 제품 안에 HBM(고대역폭 메모리)이 들어가는 셈이다.
삼성전자는 올해 1월 반도체 기술 블로그 ‘테크데이’에서 LLW D램을 개발 중이라고 처음 발표했다. 지난 10월에는 미국 실리콘밸리에서 개최한 ‘메모리 테크 데이’ 컨퍼런스에서 LLW D램에 대해 설명하기도 했다.
이에 업계에서는 삼성전자가 올해 초 공개한 갤럭시S24 시리즈에 LLW D램을 탑재할 것으로 전망했다. 그러나 갤S24 시리즈에는 LLW D램이 탑재되지 않았다. 신제품 스마트폰들에 LLW D램이 탑재될 것으로 기대되는 이유다.
이와 함께 삼성전자의 3D D램 4F 스퀘어는 내년 샘플 양산 가능성이 큰 것으로 보인다. 유 부사장은 4F 스퀘어 초기 샘플을 내년에 볼 수 있냐는 기자의 질문에 고개를 끄덕이며 “잘 개발하고 있다”고 부정하지 않았다.
3D D램은 D램 미세화 한계를 극복하기 위해 연구되고 있는 기술로, D램 셀을 낸드처럼 수직으로 적층한다. 기존 D램은 평평한 면에 수억개가 넘는 소자를 수평 배열한다. 같은 면적에 넣을 수 있는 소자가 한계에 도달하자 셀을 위로 쌓기 시작한 것이다.
삼성전자는 3D D램에 하이브리드 본딩을 적용할 전망이다. 유 부사장은 행사 기조연설에서 “3D D램은 하이브리드 본딩 적용이 가능하다”고 설명했다. 삼성전자는 앞서 지난 5월 진행된 IMW 2024(국제 메모리 워크숍)에서 3D D램 양산에 하이브리드 본딩을 적용한다고 밝힌 바 있다.
하이브리드 본딩은 칩과 칩을 범프 없이 직접 연결하는 기술이다. 이 기술을 적용할 시 칩의 높이를 줄이고, 더 많은 실리콘 관통전극(TSV, 웨이퍼 간 신호 전송경로)을 뚫을 수 있다.
최신 D램인 DDR5 1b(10나노급 5세대)는 문제없이 개발되고 있다. 다만 양산까지는 시간이 좀 걸릴 것으로 보인다. 삼성전자는 1b D램 양산을 위한 라인을 구축 중인 것으로 알려졌다. 이날 공개된 세계 최속 LPDDR5X에도 1b D램이 적용된다.
부산=전화평 기자 peace201@viva100.com
