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삼성전자, 메모리·패키징 결합 턴키 승부수…1나노대 2027년 진입

삼성전자 파운드리 포럼 개최
IDM 장점 턴키로 승화…소요 시간 20% 단축 목표
1나노대 신규 발표 없어…2027년 진입
2나노·4나노 신규 로드맵 발표
2028년 AI칩 매출 9배·고객사 4배 증가 목표

입력 2024-06-13 13:49 | 신문게재 2024-06-14 1면

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삼성파운드리포럼2024(1)
6월 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024)’에서 삼성전자 파운드리 사업부장 최시영 사장이 기조연설을 하고 있다.(사진=삼성전자)

 

삼성전자 파운드리가 AI 턴키(Turnkey) 솔루션을 승부수로 띄웠다. 메모리와 AVP(어드밴스드패키징) 간 연계를 강화해 고객 요구에 맞춘 커스텀 솔루션을 강화하는 한편, 선단공정인 2nm(나노미터, 10억분의 1m)·4나노의 신규 로드맵을 공개하며 AI 관련 매출을 크게 늘린다는 전략이다.

삼성전자는 현지시간 12일 미국 실리콘밸리 DS부문 미주총괄(DSA)에서 ‘삼성 파운드리 포럼(SFF) 2024’를 개최했다.

포럼에서는 원스톱 AI 턴키(파운드리·메모리 공급·패키징·칩 테스트까지 전 제조 과정 일괄 진행) 솔루션을 통해 총 공정 시간을 약 20% 단축하겠다는 방침이 공개됐다. 삼성전자는 외부 공급 없이 메모리와 파운드리, 패키징을 진행할 수 있는 전세계에서 유일한 IDM(종합반도체기업)이다.

송태중 삼성전자 파운드리 사업부 상무는 “삼성전자는 세 개 사업 분야간 협력을 통해 고성능·저전력·고대역폭 강점을 갖춘 AI 솔루션을 선보여 고객의 공급망을 단순화하는 기여할 것”이라며 “2027년에는 광학소자(실리콘포토닉스)도 AI 솔루션에 통합할 계획”이라고 강조했.

당초 기대를 모았던 1나노대에 대한 신규 발표는 없었다. 지난 4월 TSMC는 기존 오는 2026년 하반기부터 1.6나노 공정을 통한 반도체 생산을 시작한다고 밝혔다. 1나노대 진입을 기존 계획보다 1년 가량 앞당긴 셈이다. 인텔도 4일(현지시간) 대만 컴퓨텍스 2024 키노트에서 “다음주 18A(1.8나노) 웨이퍼에서 나온 첫 번째 칩을 구동시킬 예정”이라고 밝힌 바 있다.

삼성전자는 기존 계획대로 2027년에 1.4나노 공정 양산에 돌입한다. 파운드리 3사 중 삼성전자의 1나노대 진입이 가장 느리다.

다만, 삼성전자는 시장에서 가장 많이 통용되는 4나노 공정과 BSPDN(후면전력공급) 기술이 본격 적용되는 2나노 공정을 강화한다. 기존 로드맵에 SF2Z(2나노), SF4U(4나노)를 추가한 것이다.

SF2Z는 삼성전자가 공식적으로 BSPDN을 적용한다고 밝힌 첫 공정으로 2027년부터 양산한다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 기술이다. 이를 통해 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 ‘전압강하’ 현상을 대폭 줄일 수 있어 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상시킨다.

SF4U는 기존 4나노 공정 대비 광학적 축소(optical shrink)를 통해 PPA 경쟁력이 추가 향상됐다. 2025년부터 양산할 예정이다.

이를 통해 파운드리 매출 증가 방안도 제시됐다.송 상무는 “올해 AI칩 매출은 지난해 대비 1.8배 수준이 될 것이며 2028년에는 관련 매출이 9배 증가할 것으로 예상한다”며 “고객 수는 작년보다 2배로 늘어나고, 2028년에는 4배 증가할 것”이라고 내다봤다.

전화평 기자 peace201@viva100.com 

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