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| 삼성전자 평택캠퍼스.(사진=삼성전자) |
메모리 한파에 직격탄을 맞았던 삼성전자가 올해 3분기에 비교적 호실적을 달성하며 회복세로 돌아섰다. 고대역폭메모리(HBM), DDR5, LPDDR5x 등 고부가 제품 판매가 확대되며 적자 폭이 감소했기 때문이다. 삼성전자는 이 같은 흐름이 지속될 수 있도록 내년 HBM 공급량을 늘리고, 동시에 시설투자를 확대해 다가올 업황 반등에 만전을 기한다는 방침이다.
삼성전자는 31일 실적 발표를 통해 올해 3분기 연결 기준 매출이 67조4047억원, 영업이익이 2조4336억원을 기록했다고 공시했다. 전년 동기 대비 각각 12.21%, 77.57% 감소한 수준이지만 전분기에 비해 매출은 12%, 영업이익은 전분기(6685억원)보다 1조7700억원 증가했다.
앞서 삼성전자는 1, 2분기에 6000억원대의 영업이익을 기록한 바 있다. DS(반도체)부문이 상반기에만 9조원대 적자를 기록하며 실적에 악영향을 미친 것이다.
3분기 DS부문은 3조7500억원의 적자를 기록했다. 전분기 4조원대 적자 대비 소폭 반등한 실적이다. HBM, DDR5 등 고부가 제품 판매량이 늘며 실적 역시 회복된 것으로 분석된다.
특히 AI(인공지능) 시대를 타고 날아오른 HBM의 경우 공급량을 올해보다 2.5배 늘린다. HBM 위주로 업황이 개선되고 있는 만큼 HBM에 대한 투자를 늘린다는 계획이다. 삼성전자는 이미 주요 고객사와 내년 공급 협의를 완료한 상태라고 밝혔다.
삼성전자는 “HBM3는 3분기 이미 양산 제품 공급 시작했고 4분기에는 고객사 확대 통해 판매 본격화하고 있다”며 “다음세대인 HBM3E는 업계 최고 성능인 9.8기가 bps로 개발해 24기가 바이트 샘플 공급 시작했고 내년 상반기 내 개시 예정”이라고 설명했다.
그러면서 “제한된 캐팩스(설비투자) 내에서 HBM 중심의 투자 쏠림 현상이 더해져서 그 외 선단 공정 기반 제품들의 비트 생산 성장률은 수요 성장 수준을 하회할 것으로 전망된다”며 “해당 제품(HBM) 위주로 업황 개선이 조기 실현될 것으로 보인다”고 전망했다.
업황 부진이 현재진행형인 낸드플래시의 감산은 지속한다. 삼성전자는 “D램 대비 낸드의 생산 하향 조정 폭은 당분간 상대적으로 더 크게 운영될 것으로 예상한다”고 전했다.
파운드리(반도체 위탁생산)는 3분기 라인 가동률 저하 등으로 실적 부진이 지속됐으나, 4분기에는 주요 고객사의 신제품 출시를 위한 반도체 수요 증가가 예상됨에 따라 실적 개선이 기대된다.
삼성전자는 “3분기에 HPC(고성능컴퓨팅) 응용처를 중심으로 최대 신규 수주를 달성했다”며 “첨단 공정 기술을 요구하는 고객을 충족할 수 있는 역량이 커지고 있음을 의미한다”고 분석했다.
삼성전자는 다가올 메모리 반등 시기에 맞춰 생산 능력을 끌어올릴 계획이다. 올해 연간 시설 투자 금액이 약 53조7000억원 수준으로 예상되는데 이는 연간 기준 사상 최대 규모다. 3분기 누계로는 36조7000억원이 집행됐으며 이 중 대부분이 DS부문(33조4000억원)에 투자됐다.
삼성전자는 “메모리의 경우 중장기 수요 대응을 위한 평택 3기 마감, 4기 골조 투자 및 기술 리더십 강화를 위한 R&D용 투자 비중 확대가 예상된다”며 “특히 업계 최고 생산 수준의 HBM 생산능력 확보를 위한 투자 등 신기술 투자를 적극적으로 진행하고 있다”고 강조했다.
이어 “파운드리는 첨단공정 수요 대응을 위한 평택 생산능력 확대 및 미래 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자 등으로 전년 대비 증가할 것으로 전망된다”며 반도체에 대한 투자 의지를 드러냈다.
전화평 기자 peace201@viva100.com
