 |
| 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장).(사진=삼성전자) |
“D램과 낸드플래시 집적도를 극한의 수준으로 높여 나가고, 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화된 솔루션을 제안해 새로운 시장을 열어 갈 것입니다.”
이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 삼성전자 반도체(DS)부문 뉴스룸을 통해 이 같은 내용을 담은 기고문을 올렸다.
이 사장은 “다가올 10nm(나노미터, 10억분의 1m) 이하 D램과 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다”며 “D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구개발하고 있으며, V낸드는 단수를 지속 늘리면서도 높이는 줄이고, 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 당사의 강점을 지속 고도화해 나갈 것”이라고 밝혔다.
그러면서 “V낸드의 입출력(I/O) 스피드를 극대화하기 위해 신구조 도입을 준비하는 등 새로운 가치 창출을 위한 차세대 혁신 기술을 착실히 개발 중”이라며 “현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것이다. 9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중으로, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다”고 전했다.
최근 삼성전자는 업계 최고 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공한 바 있다. 이를 발판으로 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 1TB(테라바이트) 용량의 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션으로 확장해 나간다는 방침이다. 또, 삼성전자는 CMM(CXL Memory Module) 등 새로운 인터페이스를 적극 활용해, 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장하는 청사진을 그리고 있다.
AI(인공지능) 시대 핵심 D램인 HBM(고대역폭 메모리)에 대한 자신감도 내비쳤다.
이 사장은 “2016년 삼성전자는 HPC 향 HBM2를 업계 최초로 상용화하며 HBM 시장을 본격적으로 개척했고, 이는 오늘날 AI 향 HBM 시장의 초석이 됐다”며 “현재는 HBM3을 양산 중이고, 차세대 제품인 HBM3E도 정상 개발하고 있다. 삼성전자는 앞으로도 다년간의 양산 경험을 통해 검증된 기술력과 다양한 고객과의 파트너십을 적극 활용하여, 최고 성능의 HBM을 제공하고 향후 고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하는 등 최상의 솔루션을 공급할 것”이라고 했다.
저전력 특화 제품인 LPDDR의 경우 HKMG 공정을 적용해 고성능을 구현할 예정이다. 동시에, 모듈 형태로 구현한 LPDDR5X CAMM 솔루션으로 PC와 데이터센터 시장을 함께 공략할 계획이다.
이 사장은 “삼성전자는 고부가 제품과 선단 공정의 생산 비중을 높이고, 초거대 AI 등 신규 응용처에 대한 메모리 수요에 적기 대응해 사업의 가치를 높이는 데 집중하고 있다”며 “기흥캠퍼으세 첨단 반도체 R&D(연구개발) 라인을 구축하는 등 미래를 위한 투자를 이어가겠다”고 포부를 밝혔다.
이어 “고객, 파트너사와의 협력을 확대해 상품기획, 기술개발, 품질 전반에 걸쳐 새로운 제품과 시장을 개척할 것”이라며 “삼성전자는 초일류 기술을 기반으로 지속적인 도전과 혁신을 통해 고객들과 함께 성장하며 더 나은 미래를 열어 갈 것”이라고 강조했다.
한편 삼성전자는 오는 20일 미국 실리콘밸리에서 개최되는 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’에서 최신 메모리 기술과 제품, 미래 전략을 소개할 예정이다.
전화평 기자 peace201@viva100.com
